BEHLKE 快速高壓二極管 MOSFET開關

用于續(xù)流目的的快速高壓二極管組件，對于高達200 kV的電壓和高達10 kA的峰值電流，恢復時間為80 ns(型號系列FDA)。FDA二極管組件有單二極管、雙二極管或帶串聯(lián)阻塞二極管的二極管網(wǎng)絡，可與MOSFET或IGBT開關一起使用。所有BEHLKE高壓二極管均可提供成本效益高的塑料外殼或上述冷卻選項。請參考產(chǎn)品組E。可根據(jù)要求定制高壓二極管。 電介質(zhì)液體冷卻:   我們提供基于電介質(zhì)冷卻劑(PFPE、PFC、HFE)的DLC直接液體冷卻的所有組件，包括智能泵單元、熱交換器、冷卻板、冷卻箱、有源和無源散熱器、流量傳感器、快速連接器、適配器、管道和冷卻劑(產(chǎn)品組F). 高壓零件部件: 高壓薄膜電阻器、高壓質(zhì)量電阻器、高壓陶瓷電容器、高壓探針、高壓電纜(產(chǎn)品組G).

● 高溫超導固態(tài)開關的續(xù)流二極管與感性負載的結(jié)合 ● 軟恢復特性 ● 高峰值電流能力 ● 非常低的電感●短恢復時間

MOSFET開關和續(xù)流二極管：通常，本征MOSFET開關二極管的正向電壓低于外部快速續(xù)流二極管的正向電壓。為了使反向電流安全地遠離本征二極管，有必要將所謂的“阻塞二極管"串聯(lián)到MOSFET開關。因此，當MOSFET開關應由快速續(xù)流二極管保護時，我們總是建議使用這種額外的阻塞二極管。阻塞二極管必須至少具有開關的峰值電流能力。關斷電壓并不重要，必須僅高于本征二極管和續(xù)流二極管之間的正向電壓差。該差值通常約為10伏，情況下可達數(shù)百伏(大型MOSFET堆棧和峰值電流)。足夠的阻塞二極管可作為BEHLKE FDA二極管的單一部件或集成部件(集成阻塞二極管，選項IBD和IBD-C)。

定制的高壓二極管:我們制造200 kV截止電壓和100 kA峰值電流之間的每一個定制的高壓二極管組件，具有下面列出的任何冷卻選項

產(chǎn)品代碼: 型號包含有關電壓、電流和開啟行為的編碼信息。前幾個數(shù)字代表電壓，單位為kV，破折號前的最后一個數(shù)字表示拓撲結(jié)構(gòu)(0 =不帶阻塞二極管的標準，1 =帶有集成的阻塞二極管)。破折號后的數(shù)字表示電流，單位為安培x10。特殊功能由第二個破折號后的字母編碼。示例FDA 60-180:FDA =快速二極管組件，6 = 6千伏，0 =標準，180 = 1800安培

 產(chǎn)品組E-快速恢復高壓二極管，FDA系列

1)FDA160-150。快速恢復二極管16 kV / 1500 A。反向恢復<85 ns @150A。圖為頂側(cè)和底側(cè)。
2)FDA160-150。快速恢復二極管16千伏/ 1500答。反向恢復< 85納秒@ 150A。頂端:帶散熱片(CF)。底部:帶銅冷卻法蘭(GCF)。
3)FDA160-300。快速恢復二極管16 kV / 3000 A。反向恢復<85 ns @ 300A。可選銅散熱片(CF選項)。
4)FDA350-150。快速恢復二極管35 kV / 1500 A。反向恢復<85 ns @150A。帶有定制的高壓連接器。
5)FDA320-150。快速恢復二極管32 kV / 1500 A。 反向恢復<85 ns @150A。帶有可選的散熱片(CF )。功耗為400W。
6)FDA 160-800。快速恢復二極管16 kV / 8000 A。 反向恢復<85 ns @ 800A。帶散熱片(CF)和引線(PT-HV)的法蘭外殼(FH)。

型號參數(shù)：

HTS 240-48-B

MOSFET Switch

HTS 240-104-B

MOSFET Switch

HTS 241-30-SiC 

HTS 401-160-LC2

MOSFET Switch 

FSWP 51-02 (NO)

GCF VI

EXPRESS DE

HTS 201-15-SiC

Silicon Carbide Switch

HTS 121-160-FI

HTS 361-200-FI

IGBT Switch, Fast IGBT

HTS 361-200-FI

HTS 500-80

BEHLKE 快速高壓二極管 MOSFET開關